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MOS管導(dǎo)通特性，導(dǎo)通的意義是作為開關(guān)，相當(dāng)于開關(guān)閉合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導(dǎo)通，適宜用于源極接地時的情況（低端驅(qū)動），只需柵極電壓抵達4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導(dǎo)通，適宜用于源極接VCC時的情況。美高森美MOS管/場效應(yīng)管/功率模塊/APT系列

MOS場效應(yīng)晶體管通常簡稱為場效應(yīng)管，是一種應(yīng)用場效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。和普通雙極型晶體管相比擬，場效應(yīng)管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特性，場效應(yīng)管的品種很多，主要分為結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵場效應(yīng)管兩大類，又都有N溝道和P溝道之分。低功率艾賽斯IXYS模塊MOS管場效應(yīng)管開關(guān)

MOS管是金屬(Metal)—氧化物(Oxide)—半導(dǎo)體(Semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(Insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的Source和Drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型Backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。艾賽斯模塊MOS管現(xiàn)貨供應(yīng)

MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金屬氧化物半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，屬于場效應(yīng)管中的絕緣柵型。因此，MOS管有時被稱為絕緣柵場效應(yīng)管 MOS管/三極管/場效應(yīng)管 德國IXYS艾賽斯

MOS具有以下特點：開關(guān)速度快、高頻率性能好、輸入阻抗高、驅(qū)動功率小、熱穩(wěn)定性優(yōu)良、無二次擊穿問題、全工作區(qū)寬、工作線性度高等。其最重要的有點就是能夠減少體積大小與重量，提供給設(shè)計者一種高速度、高功率、高電壓與高增益的元件。在各類中小功率開關(guān)電路中應(yīng)用極為廣泛。 艾賽斯IXYS場效應(yīng)管MOS管觸發(fā)開關(guān)驅(qū)動模塊